某某工厂-专业生产加工、定做各种金属工艺品

　　五金金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“扩大金属钨的沉积窗口的方法”的专利，公开号CN 119153397 A，申请日期为2024年8月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种扩大金属钨的沉积窗口的方法，属于半导体领域。该扩大金属钨的沉积窗口的方法包括提供一半导体结构，所述半导体结构的表面形成有通孔和第一隔离层，所述通孔的底部形成有金属氧化物层，所述第一隔离层包括硅的氧化物层和阻挡层。使用氢等离子体对所述半导体结构进行刻蚀。刻蚀之后，对半导体结构实施SiCoNi预清洗。在所述通孔的内壁和所述第一隔离层的表面沉积第二隔离层之后，在所述通孔填充金属钨。本发明通过使用氢等离子体对所述半导体结构进行刻蚀处理，并实施SiCoNi预清洗，这样的工艺方式不会造成金属层体积的损失使得金属层与金属钨接触面更加光滑同时不会造成通孔侧壁的过挂，增大了后续金属钨沉积的工艺窗口。上海华力申请扩大金属钨的沉积窗口专利增大后续金属钨沉积的工艺窗口