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上海华力申请一种金属栅极高压器件及其工艺方法专利提高器件性能
发布时间:2024-12-25 23:44 来源:网络

  五金金融界 2024 年 12 月 19 日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种金属栅极高压器件及其工艺方法”的专利,公开号 CN 119132956 A上海华力申请一种金属栅极高压器件及其工艺方法专利提高器件性能,申请日期为 2023 年 6 月。

  专利摘要显示,本发明提供一种金属栅极高压器件及其工艺方法,衬底上形成被第一高压区 N 型扩散区包裹的第一 STI 区;回刻第一 STI 区形成第一凹槽;在第一凹槽内覆盖栅极氧化层和高介电层;沉积多晶硅层以填充第一凹槽;在第一凹槽的多晶硅层上依次沉积氮化硅硬掩膜和氧化硅硬掩膜,形成由多晶硅层、氮化硅硬掩膜和氧化硅硬掩膜堆叠的第二凹槽;去除第二凹槽以外的氧化硅硬掩膜、氮化硅硬掩膜和多晶硅层,并保留第一凹槽内的多晶硅层;在第二凹槽两侧注入高压区 P 型源漏,形成位于多晶硅层上的难熔硅化物;形成层间介质层以覆盖副栅极区域及其上的第二凹槽;在难溶硅化物上形成穿过所述层间介质层的接触孔。